場(chǎng)效應(yīng)管：場(chǎng)效應(yīng)管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,稱為單極型晶體管.它也屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件.具有輸入電阻高（108~109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者.它有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器，很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換，可以常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換，允許方便地用作恒流源、允許用作可變電阻、允許用作電子開關(guān)。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別：

場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)KΩ時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。

場(chǎng)效應(yīng)管任務(wù)原理用一句話說，就是"漏極-源極間走過溝道的ID,用以電極與溝道間的pn構(gòu)造成的反偏偏的電極電壓掌握ID".更準(zhǔn)確地說，ID走過電路的幅度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏偏的變遷，發(fā)生耗盡層擴(kuò)大變遷掌握的來由。正在VGS=0的非飽滿海域，示意的過渡層的擴(kuò)大由于沒有很大，依據(jù)漏極-源極間所加VDS的磁場(chǎng)，源極海域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有直流電ID活動(dòng)。從門極向漏極擴(kuò)大的適度層將溝道的一全體形成阻塞型，ID飽滿。將這種形態(tài)稱為夾斷。這象征著過渡層將溝道的一全體阻撓，并沒有是直流電被切斷。

正在過渡層因?yàn)闆]有電子、空穴的自正在挪動(dòng)，正在現(xiàn)實(shí)形態(tài)下簡(jiǎn)直存正在絕緣特點(diǎn)，一般直流電也難活動(dòng)。然而這時(shí)漏極-源極間的磁場(chǎng)，實(shí)踐上是兩個(gè)過渡層接觸漏極與門極下部左近，因?yàn)槠拼艌?chǎng)拉去的高速電子經(jīng)過過渡層。因漂移磁場(chǎng)的強(qiáng)度簡(jiǎn)直沒有變發(fā)生ID的飽滿景象。其次，VGS向負(fù)的位置變遷，讓VGS=VGS（off），這時(shí)過渡層大體變化遮蓋全海域的形態(tài)。并且VDS的磁場(chǎng)大全體加到過渡層上，將電子拉向漂移位置的磁場(chǎng)，只要接近源極的很短全體，這更使直流電沒有能呆滯。

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1

關(guān)注KIA半導(dǎo)體工程專輯請(qǐng)搜微信號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1

關(guān)注KIA半導(dǎo)體工程專輯請(qǐng)搜微信號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”

長(zhǎng)按二維碼識(shí)別關(guān)注