MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)

開通過程、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程、截止?fàn)顟B(tài)、擊穿狀態(tài)。  

MOS主要損耗包括開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在MOS承受規(guī)格之內(nèi)，MOS即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。

而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，尤其是PWM沒完全打開，處于脈寬調(diào)制狀態(tài)時（對應(yīng)電動車的起步加速狀態(tài)），而最高急速狀態(tài)往往是導(dǎo)通損耗為主。

MOS損壞主要原因

過流，大電流引起的高溫?fù)p壞（分持續(xù)大電流和瞬間超大電流脈沖導(dǎo)致結(jié)溫超過承受值）；過壓，源漏級大于擊穿電壓而擊穿；柵極擊穿，一般由于柵極電壓受外界或驅(qū)動電路損壞超過允許最高電壓（柵極電壓一般需低于20v安全）以及靜電損壞。

MOSFET的擊穿有哪幾種

Source、Drain、Gate

場效應(yīng)管的三極:源級S 漏級D 柵級G

(這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿)

先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達(dá)到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。

1) Drain->Source穿通擊穿

這個主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk的PN結(jié)耗盡區(qū)延展，當(dāng)耗盡區(qū)碰到Source的時候，那源漏之間就不需要開啟就形成了通路，所以叫做穿通(punch through)。那如何防止穿通呢?這就要回到二極管反偏特性了，耗盡區(qū)寬度除了與電壓有關(guān)，還與兩邊的摻雜濃度有關(guān)，濃度越高可以抑制耗盡區(qū)寬度延展，所以flow里面有個防穿通注入(APT: Anti Punch Through)，記住它要打和well同type的specis。當(dāng)然實際遇到WAT的BV跑了而且確定是從Source端走了，可能還要看是否PolyCD或者Spacer寬度，或者LDD_IMP問題了，那如何排除呢?這就要看你是否NMOS和PMOS都跑了?POLY CD可以通過Poly相關(guān)的WAT來驗證。對吧?

對于穿通擊穿，有以下一些特征：

(1)穿通擊穿的擊穿點軟，擊穿過程中，電流有逐步增大的特征，這是因為耗盡層擴(kuò)展較寬，產(chǎn)生電流較大。另一方面，耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應(yīng)，使源襯底結(jié)正偏出現(xiàn)電流逐步增大的特征。

(2)穿通擊穿的軟擊穿點發(fā)生在源漏的耗盡層相接時，此時源端的載流子注入到耗盡層中，

被耗盡層中的電場加速達(dá)到漏端，因此，穿通擊穿的電流也有急劇增大點，這個電流的急劇增大和雪崩擊穿時電流急劇增大不同，這時的電流相當(dāng)于源襯底PN結(jié)正向?qū)〞r的電流，而雪崩擊穿時的電流主要為PN結(jié)反向擊穿時的雪崩電流，如不作限流，雪崩擊穿的電流要大。

(3)穿通擊穿一般不會出現(xiàn)破壞性擊穿。因為穿通擊穿場強(qiáng)沒有達(dá)到雪崩擊穿的場強(qiáng)，不會產(chǎn)生大量電子空穴對。

(4)穿通擊穿一般發(fā)生在溝道體內(nèi)，溝道表面不容易發(fā)生穿通，這主要是由于溝道注入使表面濃度比濃度大造成，所以，對NMOS管一般都有防穿通注入。

(5)一般的，鳥嘴邊緣的濃度比溝道中間濃度大，所以穿通擊穿一般發(fā)生在溝道中間。

(6)多晶柵長度對穿通擊穿是有影響的，隨著柵長度增加，擊穿增大。而對雪崩擊穿，嚴(yán)格來說也有影響，但是沒有那么顯著。

2) Drain->Bulk雪崩擊穿

這就單純是PN結(jié)雪崩擊穿了(Avalanche Breakdown)，主要是漏極反偏電壓下使得PN結(jié)耗盡區(qū)展寬，則反偏電場加在了PN結(jié)反偏上面，使得電子加速撞擊晶格產(chǎn)生新的電子空穴對(Electron-Hole pair)，然后電子繼續(xù)撞擊，如此雪崩倍增下去導(dǎo)致?lián)舸?，所以這種擊穿的電流幾乎快速增大，I-V curve幾乎垂直上去，很容燒毀的。(這點和源漏穿通擊穿不一樣)

那如何改善這個junction BV呢?所以主要還是從PN結(jié)本身特性講起，肯定要降低耗盡區(qū)電場，防止碰撞產(chǎn)生電子空穴對，降低電壓肯定不行，那就只能增加耗盡區(qū)寬度了，所以要改變doping profile了，這就是為什么突變結(jié)(Abrupt junction)的擊穿電壓比緩變結(jié)(Graded Junction)的低。這就是學(xué)以致用，別人云亦云啊。

當(dāng)然除了doping profile，還有就是doping濃度，濃度越大，耗盡區(qū)寬度越窄，所以電場強(qiáng)度越強(qiáng)，那肯定就降低擊穿電壓了。而且還有個規(guī)律是擊穿電壓通常是由低濃度的那邊濃度影響更大，因為那邊的耗盡區(qū)寬度大。公式是BV=K*(1/Na+1/Nb)，從公式里也可以看出Na和Nb濃度如果差10倍，幾乎其中一個就可以忽略了。

那實際的process如果發(fā)現(xiàn)BV變小，并且確認(rèn)是從junction走的，那好好查查你的Source/Drain implant了

3) Drain->Gate擊穿

這個主要是Drain和Gate之間的Overlap導(dǎo)致的柵極氧化層擊穿，這個有點類似GOX擊穿了，當(dāng)然它更像Poly finger的GOX擊穿了，所以他可能更care poly profile以及sidewall damage了。當(dāng)然這個Overlap還有個問題就是GIDL，這個也會貢獻(xiàn)Leakage使得BV降低。

上面講的就是MOSFET的擊穿的三個通道，通常BV的case以前兩種居多。

上面講的都是Off-state下的擊穿，也就是Gate為0V的時候，但是有的時候Gate開啟下Drain加電壓過高也會導(dǎo)致?lián)舸┑?，我們稱之為On-state擊穿。這種情況尤其喜歡發(fā)生在Gate較低電壓時，或者管子剛剛開啟時，而且?guī)缀醵际荖MOS。所以我們通常WAT也會測試BVON，

不要以為很奇怪，但是測試condition一定要注意，Gate不是隨便加電壓的哦，必須是Vt附近的電壓。(本文開始我貼的那張圖，Vg越低時on-state擊穿越低)

有可能是Snap-back導(dǎo)致的，只是測試機(jī)臺limitation無法測試出標(biāo)準(zhǔn)的snap-back曲線。另外也有可能是開啟瞬間電流密度太大，導(dǎo)致大量電子在PN結(jié)附近被耗盡區(qū)電場加速撞擊。

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