深解mos管驅(qū)動電路設(shè)計及mos管驅(qū)動電阻如何選擇-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2019-01-02
跟雙極性晶體管相比,一般認為使MOS管導通不需要電流,只要GS電壓高于一定的值,就可以了。這個很容易做到,但是,我們還需要速度。
在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到,在GS,GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅(qū)動,實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流,因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路,所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計MOS管驅(qū)動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
第二注意的是,普遍用于高端驅(qū)動的NMOS,導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時 柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里,要得到比VCC大的電壓,就要專門的升壓電路了。很多馬達驅(qū)動器都集成了電荷泵,要注意的是應(yīng)該 選擇合適的外接電容,以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。
上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓,設(shè)計時當然需要有一定的余量。而且電壓越高,導通速度越快,導通電阻也越小?,F(xiàn)在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領(lǐng)域里,但在12V汽車電子系統(tǒng)里,一般4V導通就夠用了。
MOS管的驅(qū)動電路及其損失,可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細,所以不打算多寫了。
MOS管最顯著的特性是開關(guān)特性好,所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中,常見的如開關(guān)電源和馬達驅(qū)動,也有照明調(diào)光。
當使用5V電源,這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于三極管的be有0.7V左右的壓降,導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候,我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風險
同樣的問題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場合。
輸入電壓并不是一個固定值,它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動電壓是不穩(wěn)定的。
為了讓MOS管在高gate電壓下安全,很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下,當提供的驅(qū)動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓,就會引起較大的靜態(tài)功耗。
同時,如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓,就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候,MOS管工作良好,而輸入電壓降低的時候gate電壓不足,引起導通不夠徹底,從而增加功耗。
在一些控制電路中,邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓,而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。
這就提出一個要求,需要使用一個電路,讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管,同時高壓側(cè)的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題。
在這三種情況下,圖騰柱結(jié)構(gòu)無法滿足輸出要求,而很多現(xiàn)成的MOS驅(qū)動IC,似乎也沒有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。
電路圖如下:
這里只針對NMOS驅(qū)動電路做一個簡單分析:
Vl和Vh分別是低端和高端的電源,兩個電壓可以是相同的,但是Vl不應(yīng)該超過Vh。
Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱,用來實現(xiàn)隔離,同時確保兩只驅(qū)動管Q3和Q4不會同時導通。
R2和R3提供了PWM電壓基準,通過改變這個基準,可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置。
Q3和Q4用來提供驅(qū)動電流,由于導通的時候,Q3和Q4相對Vh和GND最低都只有一個Vce的壓降,這個壓降通常只有0.3V左右,大大低于0.7V的Vce。
R5和R6是反饋電阻,用于對gate電壓進行采樣,采樣后的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產(chǎn)生一個強烈的負反饋,從而把gate電壓限制在一個有限的數(shù)值。這個數(shù)值可以通過R5和R6來調(diào)節(jié)。
最后,R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制,R4提供了對MOS管的gate電流限制,也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的時候可以在R4上面并聯(lián)加速電容。
這個電路提供了如下的特性:
1,用低端電壓和PWM驅(qū)動高端MOS管。
2,用小幅度的PWM信號驅(qū)動高gate電壓需求的MOS管。
3,gate電壓的峰值限制
4,輸入和輸出的電流限制
5,通過使用合適的電阻,可以達到很低的功耗。
6,PWM信號反相。NMOS并不需要這個特性,可以通過前置一個反相器來解決。
在設(shè)計便攜式設(shè)備和無線產(chǎn)品時,提高產(chǎn)品性能、延長電池工作時間是設(shè)計人員需要面對的兩個問題。DC-DC轉(zhuǎn)換器具有效率高、輸出電流大、靜態(tài)電流小等優(yōu)點,非常適用于為便攜式設(shè)備供電。目前DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計技術(shù)發(fā)展主要趨勢有:
(1)高頻化技術(shù):隨著開關(guān)頻率的提高,開關(guān)變換器的體積也隨之減小,功率密度也得到大幅提升,動態(tài)響應(yīng)得到改善。小功率DC-DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率將上升到兆赫級。
(2)低輸出電壓技術(shù):隨著半導體制造技術(shù)的不斷發(fā)展,微處理器和便攜式電子設(shè)備的工作電壓越來越低,這就要求未來的DC-DC變換器能夠提供低輸出電壓以適應(yīng)微處理器和便攜式電子設(shè)備的要求。
這些技術(shù)的發(fā)展對電源芯片電路的設(shè)計提出了更高的要求。首先,隨著開關(guān)頻率的不斷提高,對于開關(guān)元件的性能提出了很高的要求,同時必須具有相應(yīng)的開關(guān)元件 驅(qū)動電路以保證開關(guān)元件在高達兆赫級的開關(guān)頻率下正常工作。其次,對于電池供電的便攜式電子設(shè)備來說,電路的工作電壓低(以鋰電池為例,工作電壓 2.5~3.6V),因此,電源芯片的工作電壓較低。
MOS管具有很低的導通電阻,消耗能量較低,在目前流行的高效DC-DC芯片中多采用MOS管作為功率開關(guān)。但是由于MOS管的寄生電容大,一般情況下NMOS開關(guān)管的柵極電容高達幾十皮法。這對于設(shè)計高工作頻率DC-DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)管驅(qū)動電路的設(shè)計提出了更高的要求。
在低電壓ULSI設(shè)計中有多種CMOS、BiCMOS采用自舉升壓結(jié)構(gòu)的邏輯電路和作為大容性負載的驅(qū)動電路。這些電路能夠在低于1V電壓供電條件下正常 工作,并且能夠在負載電容1~2pF的條件下工作頻率能夠達到幾十兆甚至上百兆赫茲。本文正是采用了自舉升壓電路,設(shè)計了一種具有大負載電容驅(qū)動能力的, 適合于低電壓、高開關(guān)頻率升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動電路。電路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設(shè)計并經(jīng)過Hspice仿真驗證,在供電電壓1.5V ,負載電容為60pF時,工作頻率能夠達到5MHz以上。
MOS管驅(qū)動電阻怎么選擇,給定頻率,MOS管的Qg和上升沿怎么計算用多大電阻首先得知道輸入電容大小和驅(qū)動電壓大小,等效為電阻和電容串聯(lián)電路,求出電容充電電壓表達式,得出電阻和電容電壓關(guān)系圖MOS管的開關(guān)時間要考慮的是Qg的,而不是有Ciss,Coss決定,看下面的Data.一個MOS可能有很大的輸入電容,但是并不代表其導通需要的電荷量Qg就大,Ciss(輸入電容)和Qg是有一定的關(guān)系,但是還要考慮MOS的跨導y.
1 、概述
MOS管的驅(qū)動對其工作效果起著決定性的作用。設(shè)計師既要考慮減少開關(guān)損耗,又要求驅(qū)動波形較好即振蕩小、過沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的,需要尋求一個平衡點,即驅(qū)動電路的優(yōu)化設(shè)計。驅(qū)動電路的優(yōu)化設(shè)計包含兩部分內(nèi)容:一是最優(yōu)的驅(qū)動電流、電壓的波形;二是最優(yōu)的驅(qū)動電壓、電流的大小。在進行驅(qū)動電路優(yōu)化設(shè)計之前,必須先清楚MOS管的模型、MOS管的開關(guān)過程、MOS管的柵極電荷以及MOS管的輸入輸出電容、跨接電容、等效電容等參數(shù)對驅(qū)動的影響。
MOS管的等效電路模型及寄生參數(shù)如圖1所示。圖1中各部分的物理意義為:
(1)LG和LG代表封裝端到實際的柵極線路的電感和電阻。
(2)C1代表從柵極到源端N+間的電容,它的值是由結(jié)構(gòu)所固定的。
(3)C2+C4代表從柵極到源極P區(qū)間的電容。C2是電介質(zhì)電容,共值是固定的。而C4是由源極到漏極的耗盡區(qū)的大小決定,并隨柵極電壓的大小而改變。當柵極電壓從0升到開啟電壓UGS(th)時,C4使整個柵源電容增加10%~15%。
(4)C3+C5是由一個固定大小的電介質(zhì)電容和一個可變電容構(gòu)成,當漏極電壓改變極性時,其可變電容值變得相當大。
(5)C6是隨漏極電壓變換的漏源電容。
MOS管輸入電容(Ciss)、跨接電容(Crss)、輸出電容(Coss)和柵源電容、柵漏電容、漏源電容間的關(guān)系如下:
開關(guān)管的開關(guān)模式電路如圖2所示,二極管可是外接的或MOS管固有的。開關(guān)管在開通時的二極管電壓、電流波形如圖3所示。在圖3的階段1開關(guān)管關(guān)斷,開關(guān)電流為零,此時二極管電流和電感電流相等;在階段2開關(guān)導通,開關(guān)電流上升,同時二極管電流下降。開關(guān)電流上升的斜率和二極管電流下降的斜率的絕對值相同,符號相反;在階段3開關(guān)電流繼續(xù)上升,二極管電流繼續(xù)下降,并且二極管電流符號改變,由正轉(zhuǎn)到負;在階段4,二極管從負的反向最大電流IRRM開始減小,它們斜率的絕對值相等;在階段5開關(guān)管完全開通,二極管的反向恢復完成,開關(guān)管電流等于電感電流。
圖4是存儲電荷高或低的兩種二極管電流、電壓波形。從圖中可以看出存儲電荷少時,反向電壓的斜率大,并且會產(chǎn)生有害的振動。而前置電流低則存儲電荷少,即在空載或輕載時是最壞條件。所以進行優(yōu)化驅(qū)動電路設(shè)計時應(yīng)著重考慮前置電流低的情況,即空載或輕載的情況,應(yīng)使這時二極管產(chǎn)生的振動在可接受范圍內(nèi)。
柵極電荷QG是使柵極電壓從0升到10V所需的柵極電荷,它可以表示為驅(qū)動電流值與開通時間之積或柵極電容值與柵極電壓之積。現(xiàn)在大部分MOS管的柵極電荷QG值從幾十納庫侖到一、兩百納庫侖。
柵極電荷QG包含了兩個部分:柵極到源極電荷QGS;柵極到漏極電荷QGD—即“Miller”電荷。QGS是使柵極電壓從0升到門限值(約3V)所需電荷;QGD是漏極電壓下降時克服“Miller”效應(yīng)所需電荷,這存在于UGS曲線比較平坦的第二段(如圖5所示),此時柵極電壓不變、柵極電荷積聚而漏極電壓急聚下降,也就是在這時候需要驅(qū)動尖峰電流限制,這由芯睡內(nèi)部完成或外接電阻完成。實際的QG還可以略大,以減小等效RON,但是太大也無益,所以10V到12V的驅(qū)動電壓是比較合理的。這還包含一個重要的事實:需要一個高的尖峰電流以減小MOS管損耗和轉(zhuǎn)換時間。
重要是的對于IC來說,MOS管的平均電容負荷并不是MOS管的輸入電容Ciss,而是等效輸入電容Ceff(Ceff=QG/UGS),即整個0
漏極電流在QG波形的QGD階段出現(xiàn),該段漏極電壓依然很高,MOS管的損耗該段最大,并隨UDS的減小而減小。QGD的大部分用來減小UDS從關(guān)斷電壓到UGS(th)產(chǎn)生的“Miller”效應(yīng)。QG波形第三段的等效負載電容是:
在大多數(shù)的開關(guān)功率應(yīng)用電路中,當柵極被驅(qū)動,開關(guān)導通時漏極電流上升的速度是漏極電壓下降速度的幾倍,這將造成功率損耗增加。為了解決問題可以增加柵極驅(qū)動電流,但增加柵極驅(qū)動上升斜率又將帶來過沖、振蕩、EMI等問題。優(yōu)化柵極驅(qū)動設(shè)計,正是在互相矛盾的要求中尋求一個平衡點,而這個平衡點就是開關(guān)導通時漏極電流上升的速度和漏極電壓下降速度相等這樣一種波形,理想的驅(qū)動波形如圖6所示。
圖6的UGS波形包括了這樣幾部分:UGS第一段是快速上升到門限電壓;UGS第二段是比較緩的上升速度以減慢漏極電流的上升速度,但此時的UGS也必須滿足所需的漏極電流值;UGS第四段快速上升使漏極電壓快速下降;UGS第五段是充電到最后的值。當然,要得到完全一樣的驅(qū)動波形是很困難的,但是可以得到一個大概的驅(qū)動電流波形,其上升時間等于理想的漏極電壓下降時間或漏極電流上升的時間,并且具有足夠的尖峰值來充電開關(guān)期間的較大等效電容。該柵極尖峰電流IP的計算是:電荷必須完全滿足開關(guān)時期的寄生電容所需。
6 應(yīng)用實例
在筆者設(shè)計的48V50A電路中采用雙晶體管正激式變換電路,其開關(guān)管采用IXFH24N50,其參數(shù)為:
根據(jù)如前所述,驅(qū)動電壓、電流的理想波形不應(yīng)該是一條直線,而應(yīng)該是如圖6所示的波形。實驗波形見圖7。
7、結(jié)論
本文詳細介紹了MOS管的電路模型、開關(guān)過程、輸入輸出電容、等效電容、電荷存儲等對MOS管驅(qū)動波形的影響,及根據(jù)這些參數(shù)對驅(qū)動波形的影響進行的驅(qū)動波形的優(yōu)化設(shè)計實例,取得了較好的實際效果。
影響MOSFET開關(guān)速度除了其本身固有Tr,Tf外,還有一個重要的參數(shù):Qg (柵極總靜電荷容量).該參數(shù)與柵極驅(qū)動電路的輸出內(nèi)阻共同構(gòu)成了一個時間參數(shù),影響著MOSFET的性能(你主板的MOSFET的柵極驅(qū)動電路就集成在IRU3055這塊PWM控制芯片內(nèi)); r6 @0 k" S/ l3 }4 u, r/ W廠家給出的Tr,Tf值,是在柵極驅(qū)動內(nèi)阻小到可以忽略的情況下測出的,實際應(yīng)用中就不一樣了,特別是柵極驅(qū)動集成在PWM芯片中的電路,從PWM到MOSFET柵極的布線的寬度,長度,都會深刻影響MOSFET的性能.如果PWM的輸出內(nèi)阻本來就不低,加上MOS管的Qg又大,那么不論其Tr,Tf如何優(yōu)秀,都可能會大大增加上升和下降的時間
偶認為,BUCK同步變換器中,高側(cè)MOS管的Qg比RDS等其他參數(shù)更重要,另外,柵極驅(qū)動內(nèi)阻與Qg的配合也很重要,一定 程度上就是由它的充電時間決定高側(cè)MOSFET的開關(guān)速度和損耗..
看從哪個角度出發(fā)。電荷瀉放慢,說明時間常數(shù)大。時間常數(shù)是Ciss與Rgs的乘積。柵源極絕緣電阻大,說明制造工藝控制較好,材料、芯片和管殼封裝的表面雜質(zhì)少,漏電少。時間常數(shù)大,柵源極等效輸入電容也大。柵源極等效輸入電容,與管芯尺寸成正比并與管芯設(shè)計有關(guān)。通常,管芯尺寸大,Ron(導通電阻)小、跨導(增益)大。柵源極等效電容大,會增加開關(guān)時間、降低開關(guān)性能、降低工作速度、增加功率損耗。Ciss與電荷注入率成正比,可能還與外加電壓有關(guān)并具有非線性等。以上,均是在相同條件下的對比。從應(yīng)用角度出發(fā),同等價格,多數(shù)設(shè)計希望選用3個等效電容(包括Ciss)小的器件。Ciss=Cgd+Cgs,充放電時間上也有先后,先是Cgs充滿,然后是Cgd.。
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