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HY1906替代MOS管-HY1906、KNX3308A規(guī)格書、封裝、參數(shù)-KIA MOS管

信息來源：本站　日期：2019-07-03　

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HY1906替代MOS管-HY1906、KNX3308A規(guī)格書、封裝、參數(shù)詳解

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下文將會詳細的介紹國產(chǎn)MOS管KNX3308A和HY1906兩個產(chǎn)品的主要參數(shù)、封裝、應(yīng)用領(lǐng)域等產(chǎn)品信息。KIA半導體是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。


從設(shè)計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場效應(yīng)管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個目標，KIA半導體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！


MOS管 KNX3308A產(chǎn)品特征

RDS(ON)=6.2mΩ(typ)@VGS=10V

提供無鉛環(huán)保設(shè)備

降低導電損耗的低RD值

高雪崩電流

MOS管 KNX3308A應(yīng)用領(lǐng)域

電力供應(yīng)

直流變換器


MOS管 KNX3308A主要參數(shù)

型號：KNX3308A

電流：80A

電壓：80V

漏源極電壓:80V

柵源電壓:±25

脈沖漏電流：340A

雪崩電流:20A

雪崩能源:410MJ


MOS管 KNX3308A封裝引腳圖


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KNX3308A產(chǎn)品規(guī)格書

查看規(guī)格書，請點擊下圖。


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MOS管 HY1906 60V/70A產(chǎn)品特征

RDS(ON)=5.7 mΩ(typ.)@VGS=10V

雪崩測試100%


MOS管 HY1906 60V/70A參數(shù)

型號：HY1906

參數(shù)：60V/70A

漏源電壓：60V

柵源電壓:±25V

源電流連續(xù):70A

脈沖漏電流:260A

連續(xù)漏電流 Tc=25℃:70A

連續(xù)漏電流 Tc=100℃:49.5A

單脈沖雪崩能量286.6MJ

漏源擊穿電壓：60V

輸入電容：4620PF

輸出電容：410PF

反向傳輸電容:360PF


MOS管 HY1906 60V/70A規(guī)格書

查看及下載規(guī)格書，請點擊下圖。


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