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mos管的電路符號解析(圖文并茂) 簡單看明白電路符號-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2020-05-15 

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mos管的電路符號解析(圖文并茂) 簡單看明白電路符號

mos管的電路符號詳解。MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。


MOS管的電路符號

MOS管的電路符號會有多種變化,電路中最常見的設(shè)計是以一條直線代表通道,兩條和通道垂直的線代表源極與漏極,左方和通道平行而且較短的線代表柵極,有時也會將代表通道的直線以破折線代替,主要用于區(qū)分增強型MOSFET或是耗盡型MOSFET。

mos管的電路符號


集成電路芯片上的MOS管為四端元件,除了柵極、源極、漏極外,尚有一基極。MOSFET電路符號中,從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為N型或是P型的MOSFET。箭頭方向永遠從P端指向N端,所以箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET,或簡稱PMOS(代表此元件的通道為P型);反之若箭頭從基極指向通道,則代表基極為P型,而通道為N型,此元件為N型的MOSFET,簡稱NMOS。在一般分布式MOSFET元件中,通常把基極和源極接在一起,故分布式MOSFET通常為三端元件。而在集成電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極,所以不標示出基極的極性,而在PMOS的柵極端多加一個圓圈以示區(qū)別。


MOS管和晶體管的應(yīng)用區(qū)別及優(yōu)勢

MOS管是可以控制電壓的元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應(yīng)選用MOS管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。

mos管的電路符號


MOS管主要利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件。有些MOS管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。MOS管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多MOS管集成在一塊硅片上,因此MOS管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。


場效應(yīng)管電路圖符號識圖

mos管的電路符號


場效應(yīng)管電路圖符號,在電路圖中它常用

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表示,關(guān)于它的構(gòu)造原理由于比較抽象,由于根據(jù)使用的場合要求不同做出來的種類繁多,特性也都不盡相同;我們在mpn中常用的一般是作為電源供電的電控之開關(guān)使用,所以需要通過電流比較大,所以是使用的比較特殊的一種制造方法做出來了增強型 的場效應(yīng)管(MOS型),它的電路圖符號:

mos管的電路符號


場效應(yīng)管電路圖符號仔細看看你會發(fā)現(xiàn),這兩個圖似乎有差別,對了,這實際上是兩種不同的增強型場效應(yīng)管,第一個那個叫N溝道增強型場效應(yīng)管,第二個那個叫P溝道增強型場效應(yīng)管,它們的的作用是剛好相反的。前面說過,場效應(yīng)管是用電控制的開關(guān),那么我們就先講一下怎么使用它來當開關(guān)的,從圖中我們可以看到它也像三極管一樣有三個腳,這三個腳分別叫做柵極(G)、源極(S)和漏極(D),mpn中的貼片元件示意圖是這個樣子:

mos管的電路符號


1腳就是柵極,這個柵極就是控制極,在柵極加上電壓和不加上電壓來控制2腳和3腳的相通與不相通,N溝道的,在柵極加上電壓2腳和3腳就通電了,去掉電壓就關(guān)斷了,而P溝道的剛好相反,在柵極加上電壓就關(guān)斷(高電位),去掉電壓(低電位)就相通了!


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