MOSFET導(dǎo)通過程圖文詳細(xì)分析（快速了解）

MOSFET導(dǎo)通過程詳解，MOSFET簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。

（一）MOSFET開通過程

T0~T1：驅(qū)動通過Rgate對Cgs充電，電壓Vgs以指數(shù)的形式上升。

T1~T2：Vgs達(dá)到MOSFET開啟電壓，MOSFET進(jìn)入線性區(qū)，Id緩慢上升，至T2時刻Id到達(dá)飽和或是負(fù)載最大電流。在此期間漏源極之間依然承受近乎全部電壓Vdd。

T2~T3：T2時刻 Id達(dá)到飽和并維持穩(wěn)定值，MOS管工作在飽和區(qū)，Vgs固定不變， 電壓Vds開始下降。此期間Cgs不再消耗電荷， VDD開始給Cgd提供放電電流。

T3~T4： 電壓Vds下降到0V，VDD繼續(xù)給Cgs充電，直至Vgs=VDD，MOSFET完成導(dǎo)通過程。

重要說明：

Vgs的各個階段的時間跨度同柵極消耗電荷成比例（因△Q = IG△T，而IG在此處為恒流源之輸出）。

T0 ~ T2跨度代表了Ciss（VGS+ CGD）所消耗的電荷，對應(yīng)于器件規(guī)格書中提供的參數(shù)Qgs(Gate to Source Charge)。

T2 ~ T3跨度代表了CGD（或稱為米勒電容）消耗的電荷，對應(yīng)于器件規(guī)格書中提供的參數(shù)Qds(Gate to Drain (“Miller”) Charge)。

T3時刻前消耗的所有電荷就是驅(qū)動電壓為Vdd、電流為Id的MOSFET所需要完全開通的最少電荷需求量。T3以后消耗的額外電荷并不表示驅(qū)動所必須的電荷，只表示驅(qū)動電路提供的多余電荷而已 。

開關(guān)損失：在MOSFET導(dǎo)通的過程中，兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，那么這段時間里，MOS管損失的是電壓和電流的乘積，稱為開關(guān)損失。

導(dǎo)通損耗： MOS管在導(dǎo)通之后，電流在導(dǎo)通電阻上消耗能量，稱為導(dǎo)通損耗。

整體特性表現(xiàn)：

驅(qū)動電量要求：

△Q t0 ~ t4= (t4－t0 )IG = VG（CGS + CGD）+ VDDCGD

驅(qū)動電流要求：

IG =△Q t0 ~ t4 /(t4－t0 )≈△Q t0 ~ t3 / (t3－t0 )≈Qg/(Td(on) + Tr)

驅(qū)動功率要求：

Pdrive=∫t4－t0 vg(t)ig(t)≈VG△Q≈VG〔VG（CGS+CGD）+ VDDCGD〕

驅(qū)動電阻要求：

RG = VG / IG

一般地可以根據(jù)器件規(guī)格書提供的如下幾個參數(shù)作為初期驅(qū)動設(shè)計(jì)的計(jì)算假設(shè)：

a) Qg(Total Gate Charge)：作為最小驅(qū)動電量要求。

b)相應(yīng)地可得到最小驅(qū)動電流要求為IG ≈Qg/(td(on)+tr)。

c)Pdrive=VG *Qg作為最小驅(qū)動功率要求。

d)相應(yīng)地，平均驅(qū)動損耗為VG *Qg*fs

二、MOSFET關(guān)斷過程

MOSFET關(guān)斷過程是開通過程的反過程，如上圖示意。

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