1500V?3A 變頻器 KNX42150A 1500V?3A參數(shù)附件-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2020-09-29
1.產(chǎn)品特點(diǎn)
高速開關(guān)
RDS(ON),typ. =6.5Ω@V GS =10V
全隔離塑料包裝
2.應(yīng)用
交換應(yīng)用
1.開啟電壓VT
開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;
標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管,VT約為3~6V;
通過工藝上的改進(jìn),可以使MOS管的VT值降到2~3V。
2. 直流輸入電阻RGS
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示
MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。
3. 漏源擊穿電壓BVDS
在VGS=0(增強(qiáng)型)的條件下 ,在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面:
(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
(2)漏源極間的穿通擊穿
有些MOS管中,其溝道長(zhǎng)度較短,不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū),使溝道長(zhǎng)度為零,即產(chǎn)生漏源間的穿通,穿通后,源區(qū)中的多數(shù)載流子,將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引,到達(dá)漏區(qū),產(chǎn)生大的ID
4. 柵源擊穿電壓BVGS
在增加?xùn)旁措妷哼^程中,使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VGS,稱為柵源擊穿電壓BVGS。
5. 低頻跨導(dǎo)gm
在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ,漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)
gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力
是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)
一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)
6. 導(dǎo)通電阻RON 1500V3A參數(shù) 變頻器
導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對(duì)ID的影響 ,是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)
在飽和區(qū),ID幾乎不隨VDS改變,RON的數(shù)值很大 ,一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由于在數(shù)字電路中 ,MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下,所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似
對(duì)一般的MOS管而言,RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)
7. 極間電容
三個(gè)電極之間都存在著極間電容:柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS
CGS和CGD約為1~3pF
CDS約在0.1~1pF之間
8. 低頻噪聲系數(shù)NF
噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的
由于它的存在,就使一個(gè)放大器即便在沒有信號(hào)輸人時(shí),在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示,它的單位為分貝(dB)
這個(gè)數(shù)值越小,代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)
場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝,它比雙極性三極管的要小
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