mos器件漏極偏壓詳解原因 n溝道MOSFET
信息來源:本站 日期:2017-07-06
MOSFET按比例減少M(fèi)OSFET尺寸的縮減在一開端即為一持續(xù)的趨向.在集成電路中,較小的器件尺寸可到達(dá)較高的器件密度,此外,較短的溝道長度町改善驅(qū)動(dòng)電流(ID~1/L)以及工作時(shí)的特性,但是,由于電子器件尺寸的縮減,溝道邊緣(如源極、漏極及絕緣區(qū)邊緣)的擾動(dòng)將變得愈加重要,因而器件的特性將不再恪守長溝道近似的假定.
當(dāng)器件尺寸縮減時(shí),必需將短溝道效應(yīng)降至最低水平,以確保正常的器件特性及電路工作,在器件按比例減少設(shè)計(jì)叫需求一些原則,一個(gè)扼要維持長溝道特性的辦法為將一切的尺寸及電壓,除上一按比例減少要素k(>1),如此內(nèi)部電場將堅(jiān)持好像長n溝道MOSFET普通,此辦法稱為定電場按比例減少.
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