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電機驅(qū)動mos管,KIA35P10AD場效應管參數(shù),TO-252-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-10-11 

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電機驅(qū)動mos管,KIA35P10AD場效應管參數(shù),TO-252-KIA MOS管


電機驅(qū)動mos管,KIA35P10AD參數(shù)引腳圖

KIA35P10AD場效應管采用先進的溝槽MOSFET技術,在電機控制和驅(qū)動、電池管理、UPS不間斷電源中熱銷,漏源擊穿電壓-100V, 漏極電流-35A ,RDS(ON)值為32mΩ,提供出色的RDS(ON)和柵極電荷,最大限度地減少導通損耗,最小化開關損耗;優(yōu)秀的QgxRDS(on)產(chǎn)品(FOM),提供卓越的開關性能,符合JEDEC標準,性能穩(wěn)定可靠;封裝形式:TO-252。

電機驅(qū)動mos管,KIA35P10AD

電機驅(qū)動mos管,KIA35P10AD參數(shù)

工作方式:-35A/ -100V

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:-135A

單脈沖雪崩能量:95mJ

最大功耗:94W

操作和儲存溫度范圍:-55℃至+150℃

漏源擊穿電壓:-100V

柵源漏電流:±100nA

輸入電容:5700pF

輸出電容:170pF

電機驅(qū)動mos管,KIA35P10AD規(guī)格書

電機驅(qū)動mos管,KIA35P10AD

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