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增強型mos管工作原理,增強型mos管的開啟電壓-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-10-12 

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增強型mos管工作原理,增強型mos管的開啟電壓-KIA MOS管


增強型mos管工作原理

增強型mos管(E-mos管)

當柵極端子上沒有電壓時,通道顯示最大電導。當柵極端子兩端的電壓為正或負時,溝道電導率降低。


增強型MOS管結構

①以低摻雜的P型硅片為襯底。


②利用擴散工藝制作成兩個高摻雜的N+區(qū),并引出兩個電極,分別為源極s和漏極d。


③在半導體上制作一層SiO2絕緣層,在SiO2上制作一層金屬鋁,引出電極,作為柵極g。④通常將柵極與襯底連接在一起,這樣襯底與柵極之間就形成電容,當柵極與源極之間電壓變化時,將改變襯底靠近絕緣層出的感應電荷的多少,從而控制漏極電流大小。

增強型mos管工作原理

兩種增強型MOS管

增強型mos管工作原理

mos管在增強模式下工作原理圖

增強型mos管工作原理

當柵極和源極之間沒有施加電壓時,由于漏極和源極之間的電壓,一些電流會流動。讓一些正電壓施加在VGG上。然后少數(shù)載流子即空穴被排斥而多數(shù)載流子即電子被吸引向SiO 2層。


在VGG處具有一定量的正電位時,一定量的漏極電流ID流過源極到漏極。當該正電位進一步增加時,電流ID由于來自源極的電子流動而增加,并且由于施加在VGG的電壓而進一步推動這些電流。因此,施加的VGG越正,漏極電流ID的值就越大。由于電子流的增加比耗盡模式更好,電流得到增強。因此,這種模式被稱為增強模式mos管。


增強型mos管的開啟電壓

增強型MOS管的開啟電壓是大于零。


增強型MOS管的工作原理基于柵源電壓(VGS)的控制。當柵源之間不加電壓時,漏源之間的PN結是反向的,因此不存在導電溝道,即使漏源之間加了電壓,也不會有電流通過。當柵源之間加正向電壓到一定值時,漏源之間會形成導電通道,這個使導電溝道剛剛形成的柵源電壓就是開啟電壓VGS。


當VGS大于開啟電壓時,MOS管工作在導通區(qū),漏源電流iDS增加,輸出電壓UDS減小。如果rDS遠小于RD,輸出電壓UDS可以近似為0V,MOS管處于“接通”狀態(tài)。


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