130A 100V場效應管,KNX2910B中文資料,mos管原廠-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-10-15
KNX2910B采用先進的溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓100V, 漏極電流130A ,提供優(yōu)異的Rdson,RDS(ON)值為9mΩ,超低導通電阻,最大限度地減少導通損耗,最小化開關(guān)損耗;低柵極電荷,完全表征雪崩電壓和電流,具有高EAS的良好穩(wěn)定性和均勻性,性能穩(wěn)定可靠;專用于電源切換、硬開關(guān)和高頻電路、不間斷電源;封裝形式:TO-220、TO-263,散熱良好。
漏源電壓:100V
漏極電流:130A
漏源通態(tài)電阻:9mΩ
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:520A
雪崩能量單脈沖:650.25MJ
功率耗散:211W
總柵極電荷:160nC
輸入電容:7950PF
輸出電容:460PF
開通延遲時間:24nS
關(guān)斷延遲時間:92nS
上升時間:22ns
下降時間:42ns
聯(lián)系方式:鄒先生
座機:0755-83888366-8022
手機:18123972950(微信同號)
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)支持
免責聲明:網(wǎng)站部分圖文來源其它出處,如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。