單片機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管電路原理,電路圖分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-10-16
單片機(jī)如何驅(qū)動(dòng)MOS管？
常用的單片機(jī)一般分為5V單片機(jī)與3V單片機(jī)，單片機(jī)的IO口輸出的高電平電壓最高是可以接近電源電壓的，但會(huì)比電源電壓小一些。由于三極管是電流驅(qū)動(dòng)型的元件，所以不需要太高的驅(qū)動(dòng)電壓就可以飽和導(dǎo)通，而對(duì)于MOS管來講，根據(jù)不同型號(hào)參數(shù)的，導(dǎo)通電壓會(huì)有差別，單片機(jī)IO能夠輸出的電壓，對(duì)于大部分的MOS管來講是達(dá)不到其導(dǎo)通條件的。
所以在單片機(jī)驅(qū)動(dòng)MOS的電路中，通常會(huì)采用三極管作為前級(jí)驅(qū)動(dòng)，由電源電壓驅(qū)動(dòng)MOS管開啟，有些開啟電壓較高的MOS管，還會(huì)提高驅(qū)動(dòng)電壓，而不使用單片機(jī)的5V供電，比如12V、15V等等。
所以單片機(jī)不能直接驅(qū)動(dòng)MOS管的主要原因是驅(qū)動(dòng)能力的問題，單片機(jī)的IO輸出的電壓達(dá)不到MOS管的導(dǎo)通條件，或者達(dá)不到飽和導(dǎo)通的條件。
單片機(jī)驅(qū)動(dòng)MOS管的電路原理主要是通過三極管作為中間級(jí)，來提高驅(qū)動(dòng)能力和確保MOS管正常工作。單片機(jī)I/O口的電壓通常較低，而MOS管需要較高的驅(qū)動(dòng)電壓才能達(dá)到飽和狀態(tài)，因此直接驅(qū)動(dòng)可能會(huì)導(dǎo)致MOS管不完全導(dǎo)通，內(nèi)阻增大，從而產(chǎn)生過熱問題。通過三極管作為中間級(jí)，可以有效提高驅(qū)動(dòng)電壓，確保MOS管正常工作。
單片機(jī)I/O口驅(qū)動(dòng)MOS管的電路設(shè)計(jì)包括：
三極管驅(qū)動(dòng)部分：單片機(jī)I/O口輸出的低電平或高電平信號(hào)通過限流電阻連接到三極管的基極，三極管放大電流后驅(qū)動(dòng)MOS管的柵極，從而控制MOS管的開關(guān)。
MOS管部分：MOS管的柵極通過三極管放大后的電流驅(qū)動(dòng)，確保MOS管達(dá)到飽和狀態(tài)，從而控制其源極和漏極之間的導(dǎo)通與關(guān)閉。
單片機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管電路主要根據(jù)MOS管要驅(qū)動(dòng)什么，繼電器之類的小負(fù)載的話直接用51的引腳驅(qū)動(dòng)就可以，要注意電感類負(fù)載要加保護(hù)二極管和吸收緩沖，最好用N溝道的MOS。
如果驅(qū)動(dòng)的東西（功率）很大，最好要做電氣隔離、過流超壓保護(hù)、溫度保護(hù)等，此時(shí)既要隔離傳送控制信號(hào)（例如PWM信號(hào)），也要給驅(qū)動(dòng)級(jí)（MOS管的推動(dòng)電路）傳送電能。
圖：適合開關(guān)頻率不高的場合，一般低于2KHz。
其中R1=10K，R2、R3大小由V+決定，V+越高，R2、R3越大，以保證電阻及三極管功耗在允許范圍，同時(shí)保證R2和R3的分壓VPP=V+ 減10V，同時(shí)V+不能大于40V。
圖：適合高頻大功率場合，到達(dá)100KHz沒問題，同時(shí)可以并聯(lián)多個(gè)MOSFET-P管
R2、R3需要滿足和圖1一樣的條件，其實(shí)就是圖1加了級(jí)推挽，這樣就可以保證MOSFET管高速開關(guān)，上面6P小電容是發(fā)射結(jié)結(jié)電容補(bǔ)償電容，可以改善三極管高速開關(guān)特性。
另外：MOSFET的柵極電容較大，在使用的時(shí)候應(yīng)該把它當(dāng)成一個(gè)容抗負(fù)載來看。
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