mos管怎么驅(qū)動(dòng),mos管驅(qū)動(dòng)電路分析-KIA MOS管

mos管怎么驅(qū)動(dòng)

MOS管的驅(qū)動(dòng)原理在于其柵極、源極和漏極之間的電學(xué)特性。對(duì)于NMOS，當(dāng)控制信號(hào)（Ctrl In）輸出低電平時(shí)，NMOS不導(dǎo)通；當(dāng)輸出高電平時(shí)，NMOS導(dǎo)通。對(duì)于PMOS，當(dāng)輸出低電平時(shí)導(dǎo)通，輸出高電平時(shí)關(guān)閉。NMOS的使能電壓以地電平為參照，而PMOS以電源電壓為參照。

驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

NMOS驅(qū)動(dòng)電路：

當(dāng)Ctrl In輸出低電平時(shí)，NMOS不導(dǎo)通，柵極通過(guò)下拉電阻R1接地，柵極電壓被拉低。

當(dāng)Ctrl In輸出高電平時(shí)，NMOS導(dǎo)通，柵極電壓被拉高，通過(guò)上拉電阻R1連接到電源。

PMOS驅(qū)動(dòng)電路：

當(dāng)Ctrl In輸出低電平時(shí)，PMOS導(dǎo)通，柵極通過(guò)上拉電阻R1連接到電源。

當(dāng)Ctrl In輸出高電平時(shí)，PMOS關(guān)閉，柵極電壓被拉低，通過(guò)下拉電阻R1接地。

MOS管如何驅(qū)動(dòng)？驅(qū)動(dòng)電路分析

對(duì)NMOS來(lái)說(shuō)，當(dāng)Ctrl In輸出低電平，NMOS不導(dǎo)通，當(dāng)輸出高電平時(shí)NMOS就會(huì)導(dǎo)通。

對(duì)PMOS來(lái)說(shuō)，當(dāng)輸出低電平時(shí)，PMOS導(dǎo)通，當(dāng)輸出高電平時(shí)PMOS則關(guān)閉。

兩者的區(qū)別在于，NMOS的使能電壓是以GND為參照的，PMOS則是以VDD為參照。

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R1可以加也可以不加，主要是起到一個(gè)偏置作用。

對(duì)于NMOS，當(dāng)輸出高電平到低電平時(shí)，下拉R1到GND，柵極能夠更快被拉低，固定到GND，進(jìn)行可靠的關(guān)閉。

同理對(duì)于PMOS，當(dāng)輸出低電平到高電平時(shí)，上拉R1到VDD，柵極能夠更快被拉高，隨后固定在VDD，最后關(guān)閉。

理解了最基本的驅(qū)動(dòng)電路，我們可以來(lái)將這個(gè)電路升級(jí)一下。

MOS管的柵源極之間可以充當(dāng)電容器，在MOS管處于穩(wěn)態(tài)的情況下，當(dāng)電容器充電時(shí)，電流流經(jīng)在一開(kāi)始會(huì)比較多，隨后越來(lái)越少，當(dāng)電容器充滿(mǎn)電后，就沒(méi)有電流流經(jīng)了。

但是如果MOS管是處于被動(dòng)打開(kāi)的情況下，電流給柵源極充電的這一小段時(shí)間內(nèi)，柵極內(nèi)會(huì)有大量的電流流動(dòng)。為確保這個(gè)過(guò)程，就需要再加一個(gè)電阻了，這個(gè)電阻越高，MOS管的開(kāi)啟和關(guān)閉速度就越慢。反之則越快。

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