20N50現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA20N50 PDF 20N50參數(shù)詳細(xì)資料-KIA 官網(wǎng)
信息來源:本站 日期:2018-01-19
KIA20n50h N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源,有源功率因數(shù)校正。
產(chǎn)品型號(hào):KIA 20N50
漏極至源極電壓(VDSS):500V
柵源電壓(VGSS):±30V
漏極電流 (連續(xù))(lD):20A
耗散功率(PD):41W/0.33W/℃
工作溫度:+150/℃
擊穿電壓溫度:0.5V/℃
輸入電容:VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz
上升時(shí)間:VDD=250V,ID=20A,RG=25Ω
封裝形式:TO-220F、TO-247、TO-3P
RDS(on)= 0.21Ω@ V GS = 10v
Lowgate charge ( typical 70nC)
快速切換的能力
雪崩能量
改進(jìn)的dt/dt能力
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20N50(20A 500V) |
產(chǎn)品編號(hào) | KIA20N50/C/HF/HH/HM |
產(chǎn)品工藝 |
kia20n50h N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源,有源功率因數(shù)校正。 |
溝道 | N溝道MOSFET |
特征 |
RDS(on)= 0.21Ω@ V GS = 10v Lowgate charge ( typical 70nC) 快速切換的能力 雪崩能量 改進(jìn)的dt/dt能力 |
適用范圍 |
主要適用于高電壓,高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源,有源功率因數(shù)校正 |
封裝形式 | TO-220F、TO-247、TO-3P |
PDF文件 |
【直接在線預(yù)覽】 |
廠家 | KIA 原廠家 |
LOGO |
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網(wǎng)址 | m.vv678a.com |
PDF總頁數(shù) | 總5頁數(shù) |
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機(jī):18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
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