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12N65現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA12N65 12A/650V KIA12N65 PDF下載 -KIA官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-02-02 

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KIA12N65參數(shù)

KIA12n65hN溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源,基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。


KIA12N65特征

RDS(on)=0.63?@ VGS = 10V

低柵極電荷(典型的52nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進(jìn)的dt/dt能力


產(chǎn)品型號:KIA12N65

工作方式:12A/650V

漏源電壓:650V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):12.0*A

脈沖漏極電流:48.0*A

雪崩能量:865mJ

耗散功率:54W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:650V

溫度系數(shù):0.7V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:1850 PF

輸出電容:180 PF

上升時間:90 ns

封裝形式:TO-220F



KIA12N65(12A 650V
產(chǎn)品編號 KIA12N65/HF
FET極性 N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝 KIA12n65hN溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源,基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器
產(chǎn)品特征

RDS(on) = 0.63?@ V GS = 10 V

低柵極電荷(典型的52nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進(jìn)的dt/dt能力

適用范圍 適用于高速功率開關(guān),開關(guān)電源等
裝形式 TO-220F
PDF文件 【直接在線預(yù)覽】
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廠家 KIA原廠家
網(wǎng)址 m.vv678a.com
PDF總頁數(shù) 總5頁

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