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12N65現貨供應商 KIA12N65 12A/650V KIA12N65 PDF下載 -KIA官網

信息來源:本站 日期:2018-02-02 

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KIA12N65參數

KIA12n65hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開關應用,如高效率開關電源,基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮(zhèn)流器


KIA12N65特征

RDS(on)=0.63?@ VGS = 10V

低柵極電荷(典型的52nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力


產品型號:KIA12N65

工作方式:12A/650V

漏源電壓:650V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):12.0*A

脈沖漏極電流:48.0*A

雪崩能量:865mJ

耗散功率:54W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:650V

溫度系數:0.7V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:1850 PF

輸出電容:180 PF

上升時間:90 ns

封裝形式:TO-220F



KIA12N65(12A 650V
產品編號 KIA12N65/HF
FET極性 N溝道MOSFET
產品工藝 KIA12n65hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開關應用,如高效率開關電源,基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮(zhèn)流器
產品特征

RDS(on) = 0.63?@ V GS = 10 V

低柵極電荷(典型的52nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力

適用范圍 適用于高速功率開關,開關電源等
裝形式 TO-220F
PDF文件 【直接在線預覽】
LOGO
廠家 KIA原廠家
網址 m.vv678a.com
PDF總頁數 總5頁

聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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