16N50現(xiàn)貨供應商 KIA16N50 16A/50V PDF文件 16N50參數(shù)詳細資料-KIA
信息來源:本站 日期:2018-02-05
功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這種先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的開關。性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲。
KIA16N50特征
RDS(ON)= 0.32Ω@ VGS = 10v
低柵極電荷(典型的45nc)
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt/dt能力
KIA16N50應用
高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲。
參數(shù)指標
產品型號:KIA16N50
工作方式:16A/500V
漏源電壓:500V
柵源電壓:±30V
漏電流連續(xù):16*A
雪崩能量:853mJ
功率耗損:38.5W
熱電阻:62.5℃/W
漏源擊穿電壓:38.5V
柵極閾值電壓:3.0V
輸入電容:2200 PF
輸出電容:350 PF
上升時間:170 ns
封裝形式:TO-220F、TO-3P、TO-247
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KIA16N50(16A 500V) |
產品編號 | KIA16N50HF/HH/HM |
FET極性 | N溝道MOSFET |
產品工藝 |
功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這種先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的開關。性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲。
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產品特征 |
RDS(ON)= 0.32Ω@ VGS = 10v 低柵極電荷(典型的45nc) 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt/dt能力 |
適用范圍 |
主要適用于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲 |
封裝形式 | TO-220F、TO-3P、TO-247 |
PDF文件 |
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LOGO |
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廠家 | KIA原廠家 |
網(wǎng)址 | m.vv678a.com |
PDF頁總數(shù) | 總6頁 |
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
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