KIA16N50參數(shù)指標

功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這種先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的開關。性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲。

KIA16N50特征

RDS（ON）= 0.32Ω@ VGS = 10v

低柵極電荷（典型的45nc）

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt／dt能力

KIA16N50應用

高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲。

參數(shù)指標

產品型號：KIA16N50

工作方式：16A/500V

漏源電壓：500V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：16*A

雪崩能量：853mJ

功率耗損：38.5W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：38.5V

柵極閾值電壓：3.0V

輸入電容：2200 PF

輸出電容：350 PF

上升時間：170 ns

封裝形式：TO-220F、TO-3P、TO-247

	KIA16N50（16A 500V）
產品編號	KIA16N50HF/HH/HM
FET極性	N溝道MOSFET
產品工藝	功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這種先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的開關。性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲。
產品特征	RDS（ON）= 0.32Ω@ VGS = 10v 低柵極電荷（典型的45nc）快速切換的能力雪崩能量改進的dt／dt能力
適用范圍	主要適用于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲
封裝形式	TO-220F、TO-3P、TO-247
PDF文件	【直接在線預覽】
LOGO
廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	m.vv678a.com
PDF頁總數(shù)	總6頁