4665現(xiàn)貨供應商 KNF4665 7A/650V PDF文件 4665參數(shù)詳細資料-KIA 官網
信息來源:本站 日期:2018-02-07
功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產。這種先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的開關性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲。
KNF4665特征
7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V
低柵極電荷(典型的25nc)
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dv / dt的能力
KNF4665參數(shù)
產品型號:KNF4665
工作方式:7A/650V
漏源電壓:650V
柵源電壓:±30V
漏電流連續(xù):7.5A
脈沖漏極電流:30A
雪崩能量:21mJ
耗散功率:147W
熱電阻:62.5℃/W
漏源擊穿電壓:650V
溫度系數(shù):0.65V/℃
柵極閾值電壓:2.0V
輸入電容:970 PF
輸出電容:40 PF
上升時間:21 ns
封裝形式:TO-220、TO-220F
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KNF4665 |
產品編號 | KNF4665(7A 650V) |
FET極性 | N溝道MOSFET |
產品工藝 |
功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產。這種先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的開關性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲 |
產品特征 |
7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V 低柵極電荷(典型的25nc) 高耐用性 快速切換 100%雪崩測試 改進的dv / dt的能力 |
適用范圍 |
主要適合于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲 |
封裝形式 | TO-220、TO-220F |
PDF文件 |
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LOGO |
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廠家 | KIA原廠家 |
網址 | m.vv678a.com |
PDF頁總數(shù) | 總6頁 |
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
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