KIA18N20 N溝道 MOSFET 18A /200V TO-220、TO-220F封裝最新規(guī)格
信息來源:本站 日期:2018-02-08
RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V
通過無鉛認(rèn)證
低電阻
低柵極電荷
峰值電流與脈寬曲線
應(yīng)用
電視/顯示器
其他應(yīng)用
KIA18N20參數(shù)
產(chǎn)品型號:KIA18N20
工作方式:18A/200V
漏源電壓:200V
柵源電壓:±30V
漏電流連續(xù):18A
脈沖漏極電流:6A
雪崩電流:8A
雪崩能量:950mJ
耗散功率:156W
熱電阻:62.5℃/W
漏源擊穿電壓:200V
溫度系數(shù):0.25V/℃
柵極閾值電壓:2.0V
輸入電容:1140PF
輸出電容:80PF
上升時(shí)間:33 ns
封裝形式:TO-220、TO-220F
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KIA18N20/AF/AP |
產(chǎn)品編號 | KIA18N20(18A200V) |
FET極性 | N溝道MOSFET |
產(chǎn)品特征 |
RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V 通過無鉛認(rèn)證 低電阻 低柵極電荷 峰值電流與脈寬曲線 |
適用范圍 |
主要適用于電視/顯示器、其他應(yīng)用 |
封裝形式 | TO-220、TO-220F |
PDF文件 |
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LOGO |
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廠家 | KIA原廠家 |
網(wǎng)址 | m.vv678a.com |
PDF頁總數(shù) | 總6頁 |
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
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