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8150原廠MOS管-KNF8150 30A/500V-KNF8150 PDF文件-KIA官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-02-15 

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KIA8150參數(shù)指標(biāo)

特征

進(jìn)的平面工藝

RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V

低門負(fù)責(zé)減少開關(guān)損耗

堅(jiān)固的多晶硅柵結(jié)構(gòu)


應(yīng)用

無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)

電焊機(jī)

高效開關(guān)電源


參數(shù)

產(chǎn)品型號:KIA8150

工作方式:30A/500V

漏源電壓:500V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):30A

脈沖漏極電流:18A

雪崩能量:120A

耗散功率:333W

熱電阻:50℃/W

漏源擊穿電壓:500V

柵極閾值電壓:2.5V

輸入電容:4150 PF

輸出電容:500 PF

上升時(shí)間:114ns

封裝形式:TO-3P



KNH8150
產(chǎn)品編號 KNF8150(30A 500V
FET極性 N溝道MOSFET
產(chǎn)品特征

先進(jìn)的平面工藝

RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V

低門負(fù)責(zé)減少開關(guān)損耗

堅(jiān)固的多晶硅柵結(jié)構(gòu)

適用范圍

主要適用于無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電焊機(jī)、高效開關(guān)電源

封裝形式 TO-3P
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廠家 KIA原廠家
網(wǎng)址 m.vv678a.com
PDF頁總數(shù) 總8頁

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