場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT有什么區(qū)別-場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)大全-KIA 官網(wǎng)
信息來(lái)源:本站 日期:2018-02-25
IGBT:IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。 專(zhuān)業(yè)名字為絕緣柵雙極型功率管 。通俗點(diǎn)說(shuō)GBT管是有MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)和雙極型達(dá)林頓管結(jié)合而成。將場(chǎng)效應(yīng)管做為推動(dòng)管,大功率達(dá)林頓管作為輸出管。這樣兩者優(yōu)點(diǎn)有機(jī)的結(jié)合成現(xiàn)在的IGBT管,功率可以做的很大。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型(juncTIon FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。
場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)功能大全: