KND4820B現(xiàn)貨供應(yīng)商 KND4820B PDF文件下載 9A 200V參數(shù)資料-KIA 官網(wǎng)
信息來源:本站 日期:2018-03-08
1、應(yīng)用
KND4820B通道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET的高電壓設(shè)計(jì),高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源,有源基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。
2、特征
專有的新平面技術(shù)
RDS(ON),典型值= 250mΩ@ VGS = 10v
低門電荷最小化開關(guān)損耗
快速恢復(fù)體二極管
3、產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品型號:KND4820B
工作方式:9A/200V
漏源電壓:200V
柵源電壓:±20V
漏電流連續(xù):9.0A
脈沖漏極電流:36A
雪崩能量:300mJ
耗散功率:83V
熱電阻:75℃/W
漏源擊穿電壓:200V
柵極閾值電壓:1.0V
輸入電容:418PF
輸出電容:94PF
上升時(shí)間:6.0ns
封裝形式:TO-251、TO-252
4、產(chǎn)品規(guī)格
|
KND4820B |
產(chǎn)品編號 | KND4820B 9A/200V |
產(chǎn)品特征 |
專有的新平面技術(shù) RDS(ON),典型值= 250mΩ@ VGS = 10v 低門電荷最小化開關(guān)損耗 快速恢復(fù)體二極管 |
適用范圍 |
高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源,有源基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。 |
封裝形式 | TO-251、TO-252 |
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廠家 | KIA原廠家 |
網(wǎng)址 | m.vv678a.com |
PDF總頁數(shù) | 總8頁 |
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機(jī):18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
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