KIA原廠家mos場(chǎng)效應(yīng)管 KNP6140A N溝道 10A /400V PDF文件下載-KIA官網(wǎng)
信息來源:本站 日期:2018-03-16
專有的新平面技術(shù)
RDS(ON),典型值=0.35Ω@VGS =10V
低門電荷最小化開關(guān)損耗
快速恢復(fù)體二極管
鎮(zhèn)流器和照明
DC-AC逆變器
其他應(yīng)用程序
產(chǎn)品型號(hào):KNP6140A
工作方式:10A/400V
漏源電壓:400V
柵源電壓:±30A
漏電流連續(xù):10A
脈沖漏極電流:6A
雪崩能量:650mJ
耗散功率:140W
熱電阻:62℃/W
漏源擊穿電壓:400V
柵極閾值電壓:2.0V
輸入電容:1254PF
輸出電容:21PF
上升時(shí)間:25ns
封裝形式:TO-251、252
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KNP6140A N溝道MOSFET |
產(chǎn)品編號(hào) | KNP6140A 10A/400V |
產(chǎn)品特征 |
專有的新平面技術(shù) RDS(ON),典型值=0.35Ω@VGS =10V 低門電荷最小化開關(guān)損耗 快速恢復(fù)體二極管 |
應(yīng)用范圍 |
鎮(zhèn)流器和照明 DC-AC逆變器 其他應(yīng)用程序 |
封裝形式 | TO-220、TO-220F |
PDF文件 |
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LOGO |
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廠家 | KIA原廠家 |
網(wǎng)址 | m.vv678a.com |
PDF頁總數(shù) | 總8頁 |
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
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