12N60場效應(yīng)管參數(shù)-12N60C引腳圖 12A 600V PDF文件-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2018-06-07
N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計的,如高效率開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓?fù)涞碾娮訜翩?zhèn)流器等
12N60H PEF文件下載
RDS(on)=0.53@VGS=10V
低柵電荷(典型的52nC)
快速交換能力
雪崩能量指定值
改進(jìn)的dv/dt能力
G:gate 柵極S:source 源極D:drain 漏極
MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。N溝道的電源一般接在D,輸出S,P溝道的電源一般接在S,輸出D。
產(chǎn)品型號:KIA12N60H
工作方式:12A/600V
漏源電壓:600V
柵源電壓:±30A
漏電流連續(xù):12A
脈沖漏極電流:48A
雪崩能量:865mJ
耗散功率:231W
熱電阻:62.5℃/V
漏源擊穿電壓:600V
溫度系數(shù):0.7V/℃
柵極閾值電壓:2.0V
輸入電容:1850PF
輸出電容:180PF
上升時間:90ns
封裝形式:TO-220、220F
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機(jī):18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助