MOS管GS擊穿及電阻作用分析-MOS管被擊穿原因及解決方案-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-07-12
靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎？擊穿就一定短路了嗎？JFET管靜電擊穿又是怎么回事？
MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。
一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；
二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。MOS管GS擊穿JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。
靜電放電形成的是短時大電流，放電脈沖的時間常數(shù)遠小于器件散熱的時間常數(shù)。因此，當靜電放電電流通過面積很小的pn結(jié)或肖特基結(jié)時，將產(chǎn)生很大的瞬間功率密度，形成局部過熱，有可能使局部結(jié)溫達到甚至超過材料的本征溫度(如硅的熔點1415℃)，使結(jié)區(qū)局部或多處熔化導致pn結(jié)短路，器件徹底失效。這種失效的發(fā)生與否，主要取決于器件內(nèi)部區(qū)域的功率密度，功率密度越小，說明器件越不易受到損傷。
反偏pn結(jié)比正偏pn結(jié)更容易發(fā)生熱致失效，在反偏條件下使結(jié)損壞所需要的能量只有正偏條件下的十分之一左右。這是因為反偏時，大部分功率消耗在結(jié)區(qū)中心，而正偏時，則多消耗在結(jié)區(qū)外的體電阻上。對于雙極器件，通常發(fā)射結(jié)的面積比其它結(jié)的面積都小，而且結(jié)面也比其它結(jié)更靠近表面，所以常常觀察到的是發(fā)射結(jié)的退化。此外，擊穿電壓高于100V或漏電流小于1nA的pn結(jié)(如JFET的柵結(jié))，比類似尺寸的常規(guī)pn結(jié)對靜電放電更加敏感。
所有的東西是相對的，不是絕對的，MOS管GS擊穿MOS管只是相對其它的器件要敏感些，ESD有一個很大的特點就是隨機性，并不是沒有碰到MOS管都能夠把它擊穿。另外，就算是產(chǎn)生ESD，也不一定會把管子擊穿。
(1)有吸引或排斥的力量；
(2)有電場存在，與大地有電位差；
(3)會產(chǎn)生放電電流。
這三種情形即ESD一般會對電子元件造成以下三種情形的影響：
(1)元件吸附灰塵，改變線路間的阻抗，影響元件的功能和壽命；
(2)因電場或電流破壞元件絕緣層和導體，使元件不能工作(完全破壞)；
(3)因瞬間的電場軟擊穿或電流產(chǎn)生過熱，使元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。
所以ESD對MOS管的損壞可能是一，三兩種情況，并不一定每次都是第二種情況。 上述這三種情況中，如果元件完全破壞，必能在生產(chǎn)及品質(zhì)測試中被察覺而排除，影響較少。如果元件輕微受損，在正常測試中不易被發(fā)現(xiàn)，在這種情形下，常會因經(jīng)過多次加工，甚至已在使用時，才被發(fā)現(xiàn)破壞，不但檢查不易，而且損失亦難以預測。靜電對電子元件產(chǎn)生的危害不亞于嚴重火災和爆炸事故的損失。
電子元件及產(chǎn)品在什么情況下會遭受靜電破壞?可以這么說：電子產(chǎn)品從生產(chǎn)到使用的全過程都遭受靜電破壞的威脅。從器件制造到插件裝焊、整機裝聯(lián)、包裝運輸直至產(chǎn)品應用，都在靜電的威脅之下。在整個電子產(chǎn)品生產(chǎn)過程中，每一個階段中的每一個小步驟，靜電敏感元件都可能遭受靜電的影響或受到破壞，而實際上最主要而又容易疏忽的一點卻是在元件的傳送與運輸?shù)倪^程。在這個過程中，運輸因移動容易暴露在外界電場(如經(jīng)過高壓設備附近、工人移動頻繁、車輛迅速移動等)產(chǎn)生靜電而受到破壞，所以傳送與運輸過程需要特別注意，以減少損失，避免無所謂的糾紛。防護的話加齊納穩(wěn)壓管保護。
現(xiàn)在的mos管沒有那么容易被擊穿，MOS管GS擊穿尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護。vmos柵極電容大，感應不出高壓。與干燥的北方不同，南方潮濕不易產(chǎn)生靜電。還有就是現(xiàn)在大多數(shù)CMOS器件內(nèi)部已經(jīng)增加了IO口保護。但用手直接接觸CMOS器件管腳不是好習慣。至少使管腳可焊性變差。
第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓(U=Q/C)，將管子損壞。雖然MOS輸入端有抗靜電的保護措施，但仍需小心對待，在存儲和運輸中最好用金屬容器或者導電材料包裝，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。組裝、調(diào)試時，工具、儀表、工作臺等均應良好接地。要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞，如不宜穿尼龍、化纖衣服，手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對器件引線矯直彎曲或人工焊接時，使用的設備必須良好接地。
第二、MOS電路輸入端的保護二極管，其導通時電流容限一般為1mA，在可能出現(xiàn)過大瞬態(tài)輸入電流(超過10mA)時，應串接輸入保護電阻。因此應用時可選擇一個內(nèi)部有保護電阻的MOS管應。還有由于保護電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號和過高的靜電電壓將使保護電路失去作用。所以焊接時電烙鐵必須可靠接地，以防漏電擊穿器件輸入端，一般使用時，可斷電后利用電烙鐵的余熱進行焊接，并先焊其接地管腳。
MOS是電壓驅(qū)動元件，對電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導通，外部干擾信號對G-S結(jié)電容充電，這個微小的 電荷可以儲存很長時間。在試驗中G懸空很危險，很多就因為這樣爆管，G接個下拉電阻對地，旁路干擾信號就不會直通了，一般可以10~20K。這個電阻稱為柵極電阻，作用1：為場效應管提供偏置電壓;作用2：起到瀉放電阻的作用(保護柵極G~源極S)。第一個作用好理解，這里解釋一下第二個作用的原理：保護柵極G~源極S：場效應管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉，他兩端的高壓就有可能使場效應管產(chǎn)生誤動作，甚至有可能擊穿其G-S極;這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護場效應管的作用。
在MOS管的驅(qū)動電路里,某些場合下,會看到這個電阻,在某些場合中,又沒有這個電阻.這個電阻的值比較常見的為5k,10k.但是這個電阻有什么用呢?
在分析這個問題之間,可以做一個簡單的實驗:
找一個mos管,MOS管GS擊穿讓它的G懸空,然后在DS上加電壓,結(jié)果是怎樣?結(jié)果是在輸入電壓才幾十V的時候,管子就燒掉了,因為管子導通了.
為什么mos管在沒有加驅(qū)動信號（比如驅(qū)動芯片在沒啟動或者損壞的情況下芯片驅(qū)動腳為高阻態(tài)）的前提下會導通,那是因為管子的DG,GS之間分別有結(jié)電容,Cdg和Cgs.所以加在DS之間電壓會通過Cdg給Cgs充電,這樣G極的電壓就會抬高直到mos管導通.
所以在驅(qū)動電路沒有工作,而且沒有放電回路的時候,mos管很容易被擊穿.假如采用變壓器驅(qū)動,變壓器繞組可以起到放電作用,所以即使不加GS電阻,在驅(qū)動沒有的情況下,管子也不會自己導通 。
總結(jié)
1、防靜電損壞MOS（看到個理由是這么說的：由于結(jié)電容比較小根據(jù)公式U=Q/C，所以較小的Q也會導致較大的電壓，導致mos管壞掉）
2、提供固定偏置，在前級電路開路時，這個較小的電阻可以保證MOS有效的關(guān)斷（理由：G極開路，當電壓加在DS端時候，會對Cgd充電，導致G極電壓升高，不能有效關(guān)斷）
3、下面還有就是對電阻大小的解釋，如果太小了，驅(qū)動電流就會大，驅(qū)動功率增加；如果太大，MOS的關(guān)斷時間會增大；
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