2016慕尼黑上海電子展 (electronica China) 和慕尼黑上海電子展 (productronic...2016慕尼黑上海電子展 (electronica China) 和慕尼黑上海電子展 (productronica China) 將于2016年3月15-17日正在上海新國內(nèi)博覽核心E1,E2,E3,E4和W1,W2館舉行
采用先進的耐壓原理和優(yōu)化的設(shè)計結(jié)構(gòu),全新600～900V ?SJ-MOS Ⅱ系列產(chǎn)品為系統(tǒng)...采用先進的耐壓原理和優(yōu)化的設(shè)計結(jié)構(gòu),全新600～900V ?SJ-MOS Ⅱ系列產(chǎn)品為系統(tǒng)應用提供充足的耐壓余量，簡化系統(tǒng)設(shè)計難度，提高系統(tǒng)可靠性，滿足客戶對高耐壓、低...
為了滿足嚴格的最新效率規(guī)范（能源之星、80Plus、歐洲能源效率）的要求，電源設(shè)...為了滿足嚴格的最新效率規(guī)范（能源之星、80Plus、歐洲能源效率）的要求，電源設(shè)計者必須考慮使用新型功率轉(zhuǎn)換器拓撲和效率更高的電子元件，例如高壓碳化硅（SiC）...
近些年來，隨著節(jié)能意識幾乎在所有的領(lǐng)域持續(xù)高漲，在高電壓工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域中，可...近些年來，隨著節(jié)能意識幾乎在所有的領(lǐng)域持續(xù)高漲，在高電壓工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域中，可實現(xiàn)節(jié)能并支持高電壓的功率半導體和電源IC應用也越來越廣泛。其中，與現(xiàn)有的Si功率...
KIA半導體將參展2016慕尼黑上海電子展 2016年3月15-17日 E2-2712KIA半導體將參展2016慕尼黑上海電子展 2016年3月15-17日 E2-2712
Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從...Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高...
