4N65現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA4N65 4A/600V PDF下載 4N65參數(shù)資料-KIA 官網(wǎng)
信息來(lái)源:本站 日期:2018-02-02
這是功率MOSFET采用先進(jìn)的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制,以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力,提供優(yōu)越的。開(kāi)關(guān)性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。器件主要適用于高效率開(kāi)關(guān)電源,有源功率因數(shù)校正?;诎霕蛲?fù)洹?/span>
KIA4N65特征
RDS(on) =2.5? @ VGS=10V
低柵極電荷(典型的16nc)
高耐用性
快速切換
100%雪崩測(cè)試
改進(jìn)的dv / dt的能力
產(chǎn)品型號(hào):KIA4N65
工作方式:4A/650V
漏源電壓:650V
柵源電壓:±30V
漏電流連續(xù):3.0A
脈沖漏極電流:12A
雪崩能量:210mJ
耗散功率:58W
熱電阻:110℃/W
漏源擊穿電壓:650V
溫度系數(shù):0.65V/℃
柵極閾值電壓:2.0V
輸入電容:560 PF
輸出電容:55 PF
上升時(shí)間:40 ns
封裝形式:TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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KIA4N65(4A 650V) |
產(chǎn)品編號(hào) | KIA4N65/HF |
FET極性 | N溝道MOSFET |
產(chǎn)品工藝 |
功率MOSFET采用先進(jìn)的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制,以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力,提供優(yōu)越的。開(kāi)關(guān)性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖 |
產(chǎn)品特征 |
RDS(on) =2.5? @ VGS=10V 低柵極電荷(典型的16nc) 高耐用性 快速切換 100%雪崩測(cè)試 改進(jìn)的dv / dt的能力 |
適用范圍 |
器件主要適用于高效率開(kāi)關(guān)電源,有源功率因數(shù)校正。基于半橋拓?fù)洹?/span> |
封裝形式 | TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F |
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廠(chǎng)家 | KIA原廠(chǎng)家 |
網(wǎng)址 | m.vv678a.com |
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