1、KIA10N60描述

N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET的設(shè)計(jì)用于高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用，如高效率開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器基于半橋拓?fù)洹?/span>

2、特征

RD= 0.6@ V GS = 10v

低柵極電荷（典型的44nc）

快速切換的能力

雪崩能量

改進(jìn)的dt／dt能力

漏源反向電壓（vds)： 600

柵源反向電壓（vgs)：30

漏電流（連續(xù)）:TC=250C

總功耗:TC=25oC、PD=50 W

結(jié)溫:TJ+150oC

貯藏溫度~ STG - 55 + 150oC

封裝形式：TO-220F

3、KIA10N06產(chǎn)品規(guī)格

	10N60（9.5A 100V）
產(chǎn)品編號	KIA10N60H
產(chǎn)品工藝	10N60 N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET的設(shè)計(jì)用于高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用，如高效率開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器基于半橋拓?fù)?/span>
特征	RD= 0.6?@ V GS = 10v 低柵極電荷（典型的44nc）快速切換的能力雪崩能量改進(jìn)的dt／dt能力
適用范圍	該產(chǎn)品適用于高速開關(guān)電源，PWM電機(jī)控制，高效率的DC至DC轉(zhuǎn)換器和橋電路
封裝形式	TO-220F
PDF文件	【直接預(yù)覽】
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廠家	KIA 原廠家
網(wǎng)址	m.vv678a.com
PEF總頁數(shù)	總5頁