12N60現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA12N60 PDF 12N60參數(shù)詳細資料-KIA 官網(wǎng)
信息來源:本站 日期:2018-01-18
KIA12n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源,基于半橋拓撲結(jié)構(gòu)的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。
2、特征
RDS(ON)= 0.53?@ V GS = 10 V
低柵極電荷(典型的52nc)
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt/dt能力
3、產(chǎn)品參數(shù)
漏極至源極電壓(VDSS):600
柵源電壓(VGSS):±30
漏極電流 (連續(xù))(lD):Tc=25℃ 12A Tc=100℃ 7.4A
耗散功率(PD):231
工作溫度:±150
擊穿電壓溫度:0.7
輸入電容:VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升時間:VDD=300V,ID=12A,RG=25Ω
4、KIA12N60H產(chǎn)品規(guī)格
|
KIA12N50(12A 60V) |
產(chǎn)品編號 |
KIA12N60/F/HF/HP |
產(chǎn)品工藝 |
kia12n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源,基于半橋拓撲結(jié)構(gòu)的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。 |
產(chǎn)品特征 |
RDS(ON)= 0.53?@ V GS = 10 V 低柵極電荷(典型的52nc) 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt/dt能力 |
適用范圍 |
高電壓,高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源,基于半橋拓撲結(jié)構(gòu)的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器 |
封裝形式 | TO-220、Yo-220F |
PDF文件 |
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LOGO |
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廠家 | KIA 原廠家 |
網(wǎng)址 | m.vv678a.com |
PDF總頁數(shù) | 總7頁 |
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
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