5N60現(xiàn)貨供應(yīng)商 5N60參數(shù)中文資料 5N60參數(shù)配置對比
信息來源：本站 日期：2018-01-13
N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管是使用起亞的。有平面的DMOS工藝。這種先進技術(shù)特別適合于最小化。在狀態(tài)電阻方面，提供優(yōu)越的開關(guān)性能，并能承受高能量脈沖。雪崩換相模式。這些器件非常適合于高效率的開關(guān)模式電源。基于半橋的電源和電子鎮(zhèn)流器。
特征
4.5A，600V，RDS（ON）= 2Ω@ VGS = 10v
低反饋電容（典型值8.0pf）
低柵極電荷（典型值高= 16nc）
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt／dt能力
符合RoHS
參數(shù)
產(chǎn)品編號：KIA 5N60
系列名稱：MOSFET
溝道：N溝道
耗散功率（pd）：100
漏源反向電壓（Vds）：600
柵源反向電壓（Vgs）：30
漏極電流（連續(xù)）（id）：5
最高結(jié)溫（Tj），℃：150
上升時間（tr）：42
輸出電容（Cd），PF：55
通態(tài)電阻（Rds），ohm：1.8
封裝形式：TO-220、TO-220F等
|
|
4N60 |
|
描述 |
5.0A 600V N-CHANNEL .MOSFET |
|
適用范圍 |
開關(guān)電源、逆變器等 |
|
PDF文件
|
|
|
LOGO |
|
|
廠家 |
|
|
網(wǎng)址 |
|
|
PDF頁數(shù) |
總7頁 |
聯(lián)系方式：鄒先生（KIA MOS管）
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關(guān)注”
長按二維碼識別關(guān)注
相關(guān)搜索：
